美光科技存储产品技术参数与产品矩阵

　　美光科技是全球内存与存储解决方案的领导者，专注于DRAM、NAND和NOR技术的研发与制造。

　　一、核心技术参数

　　美光科技在内存技术方面，1γ （1-gamma） DRAM技术采用前沿极紫外（EUV）光刻技术及美光下一代高K金属栅极（HKMG）CMOS技术。相较于1β技术，其每片晶圆的位密度可提升30%以上。

　　在NAND闪存技术方面，美光G9 NAND支持高达3.6 GB/s的创纪录NAND I/O传输速率。相较于目前已出货SSD所使用的最快NAND接口，数据传输速率提升高达50%。

　　【小结】美光科技拥有1γ DRAM技术和G9 NAND技术两项核心技术。

　　二、DRAM产品参数

　　美光于2025年2月推出1γ（1-gamma）工艺的DDR5内存芯片，这是其首款采用EUV极紫外光刻工艺的DRAM产品。1γ工艺的DDR5单颗容量达16Gb，可通过堆叠组成单条128GB的企业级产品。工作电压仅1.1V，却能实现9200MT/s的超高频率。功耗较1β工艺降低20%。

　　2025年6月，美光宣布出货全球首款1γ制程节点的LPDDR5X内存认证样品，专为旗舰智能手机设计。其速率达10.7Gbps（业界领先），功耗降低20%，封装尺寸缩小至0.61毫米（较竞品轻薄6%）。

　　2024年7月，美光推出高性能MRDIMM，带宽较传统DDR5 RDIMM提升39%，延迟降低40%，容量覆盖32GB-256GB。

　　【小结】美光DRAM产品涵盖DDR5、LPDDR5X和MRDIMM类型。

　　三、存储产品参数

　　美光9650 SSD顺序读取速度可达28 GB/s，随机读取性能高达550万IOPS。美光6600 ION专为AI、云场景及数据中心的可持续扩展设计，其中E3.S规格容量为122TB，E3.L规格容量为245TB。

　　美光4600 NVMe SSD专为专业人士、内容创作者及游戏玩家使用的高性能PC设计。美光4600的顺序读取性能较上一代SSD提升一倍，能效也同步翻倍。

　　美光4100AT PCIe SSD基于三层单元（TLC）3D NAND技术研发，容量覆盖128GB-512GB区间，采用BGA外形设计。

　　【小结】美光存储产品包括数据中心SSD、客户端SSD及车用和工业用SSD。

　　四、业务组织结构

　　2025年，美光科技将业务重组为四大以市场细分为重点的部门。

　　云存储事业部（CMBU）专注于为大型云客户提供内存解决方案，以及为所有数据中心客户提供高带宽内存。

　　移动与客户端事业部（MCBU）专注于为移动和客户端市场提供内存与存储解决方案。

　　汽车与嵌入式事业部（AEBU）专注于为汽车、工业及消费类市场提供内存与存储解决方案。

　　核心数据中心事业部（CDBU）专注于为OEM数据中心客户提供内存解决方案和为数据中心提供存储解决方案。

　　【小结】美光科技采用四大市场细分业务部门结构。

　　五、最新产品进展

　　美光已完成业界最快11Gbps HBM4 DRAM的首批样片交付，该产品带宽达2.8TB/s，计划2026年量产。

　　美光推出192GB SOCAMM2模组（小型压缩附加内存模块），采用1-gamma DRAM制程，能效提升20%以上。

　　2025年8月，美光发布三款基于G9NAND的数据中心SSD，包括全球首款PCIe 6.0 NVMe SSD（9650 SSD）、业界容量领先的E3.S SSD（6600 ION SSD）及低延迟主流PCIe 5.0 SSD（7600 SSD）。

　　【小结】美光科技在HBM4、SOCAMM2模组和数据中心SSD方面有新产品发布。

　　常见问题

　　Q：美光科技的核心技术有哪些？

　　A：美光科技拥有1γ （1-gamma） DRAM技术和G9 NAND技术两项核心技术。

　　Q：美光科技DDR5内存的主要参数是什么？

　　A：1γ工艺的DDR5单颗容量达16Gb，工作电压仅1.1V，能实现9200MT/s的超高频率，功耗较1β工艺降低20%。

　　Q：美光科技有哪些业务部门？

　　A：四大以市场细分为重点的部门包括云存储事业部、移动与客户端事业部、汽车与嵌入式事业部、核心数据中心事业部。

　　Q：美光科技9650 SSD的性能参数如何？

　　A：美光9650 SSD顺序读取速度可达28 GB/s，随机读取性能高达550万IOPS。

　　Q：美光科技LPDDR5X的主要特点是什么？

　　A：速率达10.7Gbps，功耗降低20%，封装尺寸缩小至0.61毫米（较竞品轻薄6%）。

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